跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置

罗跃嘉; 吴宗耀; 魏景汉

doi:10.16016/j.1000-5404.1998.04.008

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跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置

更新时间：2026-01-09

- 跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置
- 跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置
- 陆军军医大学学报 1998年20卷第4期
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.16016/j.1000-5404.1998.04.008
  中图分类号： R338.64
- 网络首发：1998-08-30，
  
  纸质出版：1998
- 稿件说明：
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罗跃嘉,吴宗耀,魏景汉,跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置[J].陆军军医大学学报(原第三军医大学学报),1998,20(04):0-.

罗跃嘉, 吴宗耀, 魏景汉. 跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置[J]. Journal of Army Medical University, 1998, 20(4).
罗跃嘉,吴宗耀,魏景汉,跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置[J].陆军军医大学学报(原第三军医大学学报),1998,20(04):0-. DOI：10.16016/j.1000-5404.1998.04.008

罗跃嘉, 吴宗耀, 魏景汉. 跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置[J]. Journal of Army Medical University, 1998, 20(4). DOI： 10.16016/j.1000-5404.1998.04.008.

摘要

目的：研究脑内记忆痕迹的位置。方法：采用“跨通路延迟反应”实验模式，研究12名正常青年人注意与非注意条件下的事件相关电位（ERPs）。实验分为二项：①注意视觉通路，忽视听觉通路；②注意听觉通路，忽视视觉通路。主要分析偏差刺激ERP减去标准刺激ERP的偏差成分地形图。结果：发现视听通路在注意时最大失匹配负波（MMN）波幅分布于它们的初级感觉投影，而在非注意条件下视听最大MMN波幅均分布于额中央部。结论：对于长期争论的注意早晚期选择理论提出了选择位置具有可塑性这一新见解。

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