目的 探讨650 nm半导体激光照射豚鼠视网膜后的细胞损伤情况。 方法 根据650 nm半导体激光照射功率（2、3、4、5 mW）将40只豚鼠分为4组，各组按照射次数（1、2次/d）分两个亚组，另取5只作为正常对照组。用TUNEL检测豚鼠视网膜细胞凋亡，用免疫组织化学法和医学图像分析法检测Fas蛋白的平均光密度值(AOD)，用透射电镜观察视网膜细胞的形态学变化。 结果 不同照射功率组凋亡指数(AI) 差异有统计学意义 (P0.05)，其中2、3 mW处理组与对照组AI无统计学差异(P0.05)，不同照射次数对AI影响无统计学意义(P0.05)；不同照射功率组间Fas AOD有统计学差异(P0.05)，其中2 mW处理组和对照组间Fas AOD无统计学差异(P0.05)，不同照射次数对Fas AOD无统计学差异( P0.05)；透射电镜观察， 2 mW处理组及对照组未见明显损伤反应；3 mW处理组视网膜少许细胞变性，而在4 mW和5 mW处理组细胞变性明显增加。 结论 照射功率在3 mW以上的豚鼠视网膜存在细胞凋亡，Fas蛋白的表达也存在异常，说明3 mW以上的650 nm半导体激光照射豚鼠视网膜存在损伤反应。